Module IGBT 2MBI200U4D-120 transistor de puissance 1200V 200A

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Description de Module IGBT 2MBI200U4D-120 transistor de puissance 1200V 200A

Solution de Commutation Électronique Haute Tension

Le besoin en composants fiables pour la distribution d'énergie trouve sa réponse avec le Module IGBT 2MBI200U4D-120. Ce transistor de puissance est spécifiquement calibré pour les applications de forte intensité exigeant un contrôle rigoureux du réseau électrique.

Performances Électriques et Rendement

Ce module double commute des courants allant jusqu'à 200A sous une tension de 1200V. La faible tension de saturation silicium permet un rendement énergétique accru, un argument de poids pour les entreprises cherchant à optimiser leur consommation électrique industrielle.

Guide d'Installation et Paramètres

  1. Vérifier la planéité du dissipateur thermique avant montage.
  2. Appliquer une couche uniforme de pâte thermo-conductrice.
  3. Respecter le couple de serrage recommandé pour les bornes de puissance.
Paramètre ÉlectriqueValeur de Contrôle
Vce(sat) typique1.9 V
Température de jonction-40 à +150 °C
Tension d'isolation AC2500 V (1 min)

Fiabilité face aux Perturbations

Les pointes de tension et les perturbations électromagnétiques sont absorbées efficacement par la diode de roue libre intégrée. Cela sécurise l'étage de puissance de votre variateur de fréquence face aux retours d'énergie inductive des moteurs électriques.

Détails

OPC s8_CB0GSJPG25M
Référence produit s8_CB0GSJPG25M
Marque
Prix 49,99 €
Prix habituel 222,45 €
Remise 77%
Note 4.5 / 5.0
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Avis sur Module IGBT 2MBI200U4D-120 transistor de puissance 1200V 200A

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Avis le mieux noté
5/5
J. Mclachlan
Publié le 13/10/2026
Vendu par EXTREME MOBILE LTD
Je suis ravi de mon achat, le produit est superbe.
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