Module double IGBT MG75Q2YS40 haute tension 1200V à faible perte thermique

Performance et isolation renforcée pour l'électronique de puissance

La gestion des courants de forte intensité sous une tension de 1200V requiert des composants d'une robustesse éprouvée. Le module double MG75Q2YS40 intègre des puces de silicium sélectionnées pour leur faible niveau de fuite, assurant une barrière hermétique contre les perturbations électromagnétiques.

Structure interne et dynamique des fluides énergétiques

Chaque commutateur à l'intérieur du boîtier possède une diode de récupération rapide connectée en anti-parallèle. Cette configuration absorbe l'énergie inductive résiduelle lors du blocage du transistor, évitant la dégradation prématurée de la structure cristalline du semi-conducteur.

Tableau de comportement thermique

Champs d'application industrielle

Ce module équipe les systèmes d'alimentation à découpage de forte puissance, les équipements de chauffage par induction de moyenne fréquence, ainsi que les chargeurs de batteries pour flottes de véhicules logistiques lourds.